瑞萨电子推出新一代SiIGBT用于电动汽车逆变器盖世汽车讯8月30日,半导体解决方案供应商瑞萨电子公司(RenesasElectronicsCorporation)宣布开发新
英飞凌推出新型汽车750VEDT2IGBT用于分立牵引逆变器盖世汽车讯据外媒报道,英飞凌(InfineonTechnologiesAG)宣布推出采用TO247PLUS封装的新型EDT2绝缘栅
研究人员利用ESOI分析展示SiC在电动汽车中的能效优势这项研究估计,对于预计使用寿命超过20万英里的个人电动汽车,将硅IGBT替换为碳化硅MOSFET所节省